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  公司拥有多种氧化物,氮化物,硅,多晶硅,和锗各向同性腐蚀、标准金属腐蚀、非标准绝缘介质,半导体和金属腐蚀、光刻胶去除和硅片清洗步骤、硅化物腐蚀、塑料和聚合物刻蚀、硅各向异性刻腐蚀,体硅和锗硅自停止腐蚀、电化学腐蚀和自停止、光助腐蚀和自停止、薄膜自停止腐蚀、牺牲层去除、多孔硅形成。

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